在材料科學、半導體
、新能源(yuán)等前沿領域
，TEM/SEM/FIB測(cè)試已成為(wéi)納米尺度表徵的“標配”
。然(rán)而
，由於(yú)設備復(fù)雜
、樣品敏感
、操作專業性(xìng)強，實踐中常因認知偏差或操作不(bù)當導致數據誤讀
，甚至得出錯誤結論
。
常見誤區一
：將SEM圖像直(zhí)接(jiē)當作真實三(sān)維形貌
。
SEM僅提供表面二(èr)維投影信(xìn)息，高深寬比結構(gòu)(如納米線陣列)易因電子陰(yīn)影效應(yīng)產(chǎn)生視覺扭曲。若未結合多角度成像或3D重構(gòu)，可(kě)能誤判孔隙連通性(xìng)或顆粒堆疊狀(zhuàng)態
。
誤區二(èr)
：忽視FIB制樣引入的人為(wéi)損(sǔn)傷。
FIB使用鎵離子束切割樣品
，雖精度達(dá)納米級(jí)
，但高能離子轟擊會在TEM樣品邊緣形成非晶層或注入污(wū)染，尤其對(duì)電子束敏感材料(如鈣鈦礦
、MOFs)影響顯(xiǎn)著
。若未進(jìn)行(xíng)低電壓清洗或低溫FIB處理(lǐ)
，高分辨TEM圖像可(kě)能反映的是(shì)“損(sǔn)傷結構(gòu)”而非本徵物相(xiàng)。
誤區三(sān)：EDS元素分析未做定量(liàng)校正
。
許多用戶直(zhí)接(jiē)依據SEM-EDS譜峰高度判斷元素含量(liàng)，卻忽略原(yuán)子序(xù)數效應(yīng)
、吸收效應(yīng)及螢光效應(yīng)的影響
。例如
，輕(qīng)元素(如C
、O)信(xìn)號易被重元素掩蓋(gài)
，導致成分誤判。正確做法是(shì)採(cǎi)用ZAF或φ(ρz)模型進(jìn)行(xíng)定量(liàng)修正
，並(bìng)配合標樣驗證。
誤區四：TEM選區衍射誤標晶面指數。
在多晶或取向(xiàng)混雜樣品中
，若未結合高分辨像或電子衍射模擬軟件，極(jí)易將多重衍射斑點(diǎn)誤認為(wéi)單一晶相(xiàng)，造成晶體結構(gòu)錯誤解(jiě)析。
誤區五(wǔ)：忽略測(cè)試條件對(duì)結果(guǒ)的影響
。
加(jiā)速電壓過高可(kě)能導致聚合物碳化(huà)
；束流過大會使電池(chí)材料脫鋰
；真空度不(bù)足則引發(fā)樣品污(wū)染。這些“隱形變量(liàng)”常被忽視
，卻直(zhí)接(jiē)影響數據可(kě)重復(fù)性(xìng)
。
因此
，科研人員應(yīng)樹立(lì)“數據需驗證”的意識
：關鍵結論應(yīng)通過多技術(shù)交叉印證，並(bìng)詳細(xì)記(jì)錄測(cè)試參數
。同時
，與專業測(cè)試工程(chéng)師充分溝通樣品特性(xìng)與科學問題(tí)，方能避免“看得見卻看不(bù)懂”的陷阱
，真正發(fā)揮TEM/SEM/FIB三(sān)位一體的強大表徵能力
。
更新時間：2025-11-22
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