在(zài)半導體器件製造與(yǔ)質(zhì)量檢測(cè)過程中
,閂鎖效應(Latch-up)測(cè)試(shì)是一項至(zhì)關重要的可靠(kào)性評估項目
。由於CMOS等工藝結構(gòu)的固有特性,芯(xīn)片在(zài)受到特定電壓
、電流或輻射乾(gàn)擾時可能引發寄生雙極(jí)晶體管(guǎn)導通
,導致器件損壞。為(wéi)預防此類風險(xiǎn)
,
半導體閂鎖測(cè)試(shì)儀被廣泛用於評估集成電路(lù)對閂鎖效應的抗擾能力。掌握其(qí)基本操作流程
,是確保測(cè)試(shì)結果準確
、設備(bèi)穩定運行的前提。
一
、測(cè)試(shì)前準備(bèi)
1.確認測(cè)試(shì)樣品(pǐn)狀態
檢查待測(cè)芯(xīn)片是否完好無損,引腳無彎曲、氧化或短(duǎn)路(lù)現(xiàn)象(xiàng)
。同時查閱芯(xīn)片規格書(shū)
,明(míng)確其(qí)供電電壓範圍、較大工作電流及敏感引腳位置
,避免(miǎn)測(cè)試(shì)過程中誤操作造成損傷
。
2.檢查測(cè)試(shì)環(huán)境
確保測(cè)試(shì)台面乾(gàn)淨整潔
,靜(jìng)電防護措施(shī)到位,如佩戴防靜(jìng)電手(shǒu)環(huán)、使用防靜(jìng)電墊等。測(cè)試(shì)儀應放置於通風良好、溫濕度(dù)適宜的環(huán)境中,遠離強電磁乾(gàn)擾源。
3.連接電源與(yǔ)通信接口
將測(cè)試(shì)儀主機接入穩壓電源
,並(bìng)通過USB或LAN線(sī)與(yǔ)控制電腦連接。開啓設備(bèi)後觀察自檢狀態
,確認各模(mó)塊運行正常。
二(èr)、配置測(cè)試(shì)參數
1.選(xuǎn)擇測(cè)試(shì)模(mó)式
根據(fù)測(cè)試(shì)標準(如JEDEC JESD78)和芯(xīn)片類型,設置合適的測(cè)試(shì)模(mó)式,包括電流注入方式(單(dān)次脈衝/連續掃(sǎo)描)
、觸發通道、監測(cè)閾值等。
2.設定激勵電流範圍
初(chū)始階段建議從低電流開始逐步增加(jiā),防止(zhǐ)因過流直接燒毀芯(xīn)片。通常測(cè)試(shì)電流範圍為(wéi)幾毫安至(zhì)數百毫安不等,具體數值需(xū)結合芯(xīn)片設計規範進行設定
。
3.設置保護機制
啓用自動斷電保護功能,設定較大允許電流和持(chí)續時間,一旦超過設定值立即切斷輸(shū)出,防止(zhǐ)器件受損。

三(sān)、執行測(cè)試(shì)流程
1.安裝(zhuāng)樣品(pǐn)並(bìng)啓動測(cè)試(shì)
將芯(xīn)片正確插入測(cè)試(shì)夾具,確保接觸良好
。點擊軟(ruǎn)件界面“開始測(cè)試(shì)”按鈕(niǔ),系統將按照預設參數自動施(shī)加(jiā)激勵信號
,並(bìng)實時採集響應數據(fù)。
2.監控測(cè)試(shì)過程
觀察電流波形
、電壓變化及報警信息
,判斷是否出現(xiàn)閂鎖現(xiàn)象(xiàng)。若系統提示異常
,應立即停止(zhǐ)測(cè)試(shì)並(bìng)記錄相關信息
。
3.保存(cún)與(yǔ)分(fèn)析(xī)數據(fù)
測(cè)試(shì)完成後,導出測(cè)試(shì)數據(fù)文件
,包括觸發點
、臨界電流值
、恢復時間等關鍵指標
,用於後續分(fèn)析(xī)芯(xīn)片抗閂鎖能力
。
四、測(cè)試(shì)結束後的維(wéi)護
1.關閉設備(bèi)並(bìng)斷電
測(cè)試(shì)結束後依次關閉軟(ruǎn)件、主機關機,拔下電源插頭(tóu)
,防止(zhǐ)待機電流長期作用影(yǐng)響設備(bèi)壽命。
2.清潔探針與(yǔ)夾具
使用無塵(chén)布輕(qīng)輕(qīng)擦拭探針和夾具表面,去除殘留物,保持(chí)良好的電氣接觸性能
。
3.定期校准儀器
按照廠家推薦週期(一般為(wéi)每年一次)送(sòng)檢或由專業人員進行電流源精度(dù)校准,確保測(cè)試(shì)數據(fù)的準確性。
半導體閂鎖測(cè)試(shì)儀作為(wéi)評估IC可靠(kào)性的關鍵工具
,其(qí)操作過程雖然技術性強,但只要遵循科學(xué)的操作步驟
,合理設置參數,並(bìng)做好日常維(wéi)護,就能有效提升(shēng)測(cè)試(shì)效率與(yǔ)數據(fù)準確性
,為(wéi)芯(xīn)片研發、生產與(yǔ)品(pǐn)質(zhì)管(guǎn)理提供有力保障(zhàng)
。